栏目分类女同 h 武汉华星光电请求发光基板偏激制作体式、发光装配专利,管理有关本事中相邻发光器件出射后光串扰问题|磷光
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发布日期:2024-12-07 12:51 点击次数:154金融界2024年12月2日讯息,国度学问产权局信息深入,武汉华星光电半导体深入本事有限公司请求一项名为“发光基板偏激制作体式、发光装配”的专利女同 h,公开号 CN 119050240 A,请求日历为2024年8月。
专利摘录深入,本请求履行例提供一种发光基板偏激制作体式、发光装配,触及半导体本事畛域,其指标是管理有关本事中相邻发光器件出射的后光发生串扰的问题。该发光基板包括基板、远离成立于所述基板上的多个发光器件、至少一个远离件以及磷光层。所述远离件成立于所述基板上且位于相邻两个所述发光器件之间,所述磷光层成立于所述发光器件远离所述基板的一侧,所述磷光层在与至少一个所述远离件对应的位置处酿成有凹下。
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作家:谍报员